(시사캐스트, SISACAST=김태훈) SK하이닉스는 DRAM개발 김형수 부사장이 제27회 한국공학한림원 젊은공학인상을 수상했다고 23일 밝혔다.
김 부사장은 한국과학기술원 박사과정을 거쳐 SK하이닉스 설계 연구원으로 2005년 입사해 D램 제품 개발을 주도해왔다. 그는 여러 차례 ‘세계 최초 기술 개발’이라는 타이틀을 거머쥐면서 한국 반도체 산업 발전에 기여한 공적을 인정받아 수상자로 선정됐다.
김 부사장은 2018년 세계 최초로 1ynm 16Gb DDR5 D램을 개발하고 제품 출시 단계까지 주도적인 역할을 했다. 이 제품은 이전 세대인 DDR4 D램 대비 속도는 1.8배 빨라지고 전력 소비량은 30% 감축된 스펙으로 개발됐다.
고효율‧고성능 제품으로서 탄소배출 저감 등 ESG 경영에도 기여했다는 평가를 받았다. 이어 김 부사장은 2021년 단일 칩으로 업계 최대 용량인 1anm 24Gb DDR5 D램을 개발해 회사의 기술력을 한 단계 더 점프시켰다고 인정받았다.
김 부사장은 같은 해 세계 최고 성능의 D램인 HBM 시리즈를 개발했고, 지난해 고용량 96GB CXL 메모리를 개발하기도 했다.
현재까지 전기·전자공학자협회(IEEE)에 20편 이상의 논문을 등재하며 학문적 연구에도 기여했다. 2021년에는 인재 양성 프로그램을 개발, 전문 엔지니어 9명을 배출해 내기도 했다. [시사캐스트]
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