(시사캐스트, SISACAST=이현주 기자) SK하이닉스는 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.
HBM는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전이다.
이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다. 속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.
SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. HBM3E는 하위 호환성도 갖춰 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가받고 있다.
하위 호환성은 과거 버전 제품과 호환되도록 구성된 IT‧컴퓨팅 시스템 내에서 신제품이 별도로 수정이나 변경 없이 그대로 쓰일 수 있는 것이다. 가령, CPU나 GPU 업체 입장에서는 메모리반도체 신제품이 하위 호환성을 갖추고 있으면 신제품에 특화한 설계 변경 등을 진행하지 않고 기존의 CPU‧GPU를 그대로 쓸 수 있는 장점이 있다. [시사캐스트]
