(시사캐스트, SISACAST=이현주 기자)
8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍이 최근 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화하고 있다.
초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 게이트 드라이버(Gate Driver) IC의 설계·제조를 지원한다. 전력반도체 IC 시장의 8%를 차지하고 있는 게이트 드라이버 IC 시장이 지난해부터 2027년까지 연평균 109% 성장할 것으로 전망되는 가운데 수요가 대폭 증가할 것으로 기대되고 있다.
DB하이텍은 경쟁 우위의 전력반도체 기술을 바탕으로 고부가·고성장의 초고전압 전력반도체 사업을 확대해 경쟁력을 제고한다는 전략이다.
이번 공정 기술 업그레이드를 통해 DB하이텍은 게이트 드라이버 IC에서 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공한다. 이를 통해 고객들은 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 절연 각각의 장점을 살릴 수 있으며, 공정의 활용도 기존의 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 확장될 것으로 기대된다.
DB하이텍은 지난 5월 업계 최초로 시스템 에어컨 등의 고출력 컴프레서(Compressor)에 적용할 수 있고 넓은 여유 전압으로 설계가 용이한 900V급 레벨 시프터(Level-Shifter)를 제공한 바 있다. 또한 칩 외부에 장치하던 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode)를 내장해 칩 크기를 줄이는 기술을 자체 개발 및 특허 출원해 타 파운드리와 차별화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공해 왔다.
DB하이텍은 향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전영역대에 대한 공정 기술을 확보하면서 응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것이라 밝혔다.
구체적으로는 내년 1월 게이트 드라이버 IC 시장에서 10%로 가장 큰 비중을 차지하는 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공하고, 연내 전동킥보드 및 전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 순차적으로 확보하며 초고전압 전력반도체 경쟁력을 강화할 계획이다. [시사캐스트]
